珠江时报讯（记者/彭美慈通讯员/关瑶）近日，季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备取得突破性进展。该装备的成功研制，将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。

据介绍，SiC（碳化硅）是第三代半导体的代表性材料，以SiC为材料生产的各类半导体器件应用范围广泛，包括5G通信、新能源汽车、新能源光伏等领域。季华实验室研制的SiC高温外延装备便是应用在SiC器件产业链中外延层生长这一关键环节。

季华实验室大功率半导体研究团队克服了国外技术封锁、疫情等重重困难，仅用了不到一年时间，完成了从模拟仿真、结构设计、温气场设计、加工采购，到系统软件的自主开发、安装调试及一系列软硬件联调工作，突破了多项交叉学科难题，并申请发明专利共计30余件，其中4件已获得专利授权，装备的主要功能和性能指标已达到设计要求。目前，研究人员正在进行紧张的工艺调试。

“SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其生产装备被欧美等发达国家垄断。”团队相关负责人介绍，该项目采用高稳定气体流场、压力场控制、感应加热、反应腔整机系统设计方案，结合自主开发的原位监控技术、在线清洗技术以及涂层材料和工艺，从而实现SiC外延的快速、高质量生长，同时提高设备运行的可靠性和稳定性。

据悉，该设备核心部件全部采用国产，整机国产化率超过85%。该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。